Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.nuph.edu.ua/handle/123456789/10068
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorStorozhenko, I. P.-
dc.contributor.authorYaroshenko, A. N.-
dc.contributor.authorKaydash, M. V.-
dc.contributor.authorСтороженко, И. П.-
dc.contributor.authorСтороженко, І. П.-
dc.contributor.authorЯрошенко, А. Н.-
dc.contributor.authorКайдаш, М. В.-
dc.date.accessioned2016-09-09T13:29:26Z-
dc.date.available2016-09-09T13:29:26Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationStorozhenko, I. P. Graded-gap AlInN Gunn diodes / I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - P. 176-180.en_US
dc.identifier.urihttp://dspace.nuph.edu.ua/handle/123456789/10068-
dc.description.abstractThe paper deals with the numerical simulation of Gunn diodes operation based on the graded-gap AlInN. We have obtained the output characteristics of diodes with different cathode contacts in a wide range of frequencies. Harmonic and biharmonic modes of operation have been considered. Cutoff frequency and minimum length of the active region have been estimated. Performances of graded-gap AlInN diodes are compared with the performances of InN and AlN diodes.en_US
dc.language.isoenen_US
dc.subjectGunn dioden_US
dc.subjecttransfer electron deviceen_US
dc.subjectgraded-gap semiconductoen_US
dc.subjectnitride semiconductoren_US
dc.subjectintervalley electron transferen_US
dc.subjectterahertz rangeen_US
dc.titleGraded-gap AlInN Gunn diodesen_US
dc.title.alternativeВаризонные AlInN диоды Ганнаen_US
dc.typeArticleen_US
Располагается в коллекциях:Наукові публікації кафедри фундаментальних та суспільно-гуманітарних наук

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
st_095.pdf1,39 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.