Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://dspace.nuph.edu.ua/handle/123456789/10068
Название: Graded-gap AlInN Gunn diodes
Другие названия: Варизонные AlInN диоды Ганна
Авторы: Storozhenko, I. P.
Yaroshenko, A. N.
Kaydash, M. V.
Стороженко, И. П.
Стороженко, І. П.
Ярошенко, А. Н.
Кайдаш, М. В.
Ключевые слова: Gunn diod;transfer electron device;graded-gap semiconducto;nitride semiconductor;intervalley electron transfer;terahertz range
Дата публикации: 2012
Библиографическое описание: Storozhenko, I. P. Graded-gap AlInN Gunn diodes / I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2012. - Vol. 15. - N 2. - P. 176-180.
Краткий осмотр (реферат): The paper deals with the numerical simulation of Gunn diodes operation based on the graded-gap AlInN. We have obtained the output characteristics of diodes with different cathode contacts in a wide range of frequencies. Harmonic and biharmonic modes of operation have been considered. Cutoff frequency and minimum length of the active region have been estimated. Performances of graded-gap AlInN diodes are compared with the performances of InN and AlN diodes.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://dspace.nuph.edu.ua/handle/123456789/10068
Располагается в коллекциях:Наукові публікації кафедри фiзики

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
st_095.pdf1,39 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.