Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://dspace.nuph.edu.ua/handle/123456789/10068
Назва: | Graded-gap AlInN Gunn diodes |
Інші назви: | Варизонные AlInN диоды Ганна |
Автори: | Storozhenko, I. P. Yaroshenko, A. N. Kaydash, M. V. Стороженко, И. П. Стороженко, І. П. Ярошенко, А. Н. Кайдаш, М. В. |
Теми: | Gunn diod;transfer electron device;graded-gap semiconducto;nitride semiconductor;intervalley electron transfer;terahertz range |
Дата публікації: | 2012 |
Бібліографічний опис: | Storozhenko, I. P. Graded-gap AlInN Gunn diodes / I. P. Storozhenko, A. N. Yaroshenko, M. V. Kaydash // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - P. 176-180. |
Короткий огляд (реферат): | The paper deals with the numerical simulation of Gunn diodes operation based on the graded-gap AlInN. We have obtained the output characteristics of diodes with different cathode contacts in a wide range of frequencies. Harmonic and biharmonic modes of operation have been considered. Cutoff frequency and minimum length of the active region have been estimated. Performances of graded-gap AlInN diodes are compared with the performances of InN and AlN diodes. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://dspace.nuph.edu.ua/handle/123456789/10068 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри фундаментальних та суспільно-гуманітарних наук |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
st_095.pdf | 1,39 MB | Adobe PDF | Переглянути/відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.